结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列
结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列,适用于 X 射线检测
结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列
NIR 增强型 通过 TOF(飞行时间)方法测量到物体的距离
NIR 增强型 通过 TOF(飞行时间)方法测量到物体的距离
NIR 增强型 通过 TOF(飞行时间)方法测量到物体的距离
NIR 增强型 通过 TOF(飞行时间)方法测量到物体的距离
NIR 增强型 通过 TOF(飞行时间)方法测量到物体的距离
受光面:140.0 × 122.8 mm
用于 X 射线成像的 CMOS 面阵图像传感器(USB 接口型)
用于 X 射线成像的 CMOS 面阵图像传感器(USB 接口型)
用于 X 射线成像的 CMOS 面阵图像传感器
用于 X 射线成像的 CMOS 面阵图像传感器
具有狭长受光面的图像传感器(FOP 型,无闪烁体)
图像传感器,具有用于 X 射线成像的狭长受光面(FOP 型)
图像传感器,具有用于 X 射线成像的狭长受光面(FOP 型,无闪烁体)
图像传感器,具有狭长的 X 射线成像受光面(FOS 类型)
对 10 k 至 100 keV 的 X 射线具有高灵敏度的图像传感器